上海简氏信息科技有限责任公司

国家知识产权局信息显示，上海乐瓦微电子科技有限公司取得一项名为“一种MOS器件的建模方法”的专利，授权公告号CN120974792B，申请日期为2025年10月。天眼查资料显示，上海乐瓦微电子科技有限公司，成立于2019年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海乐瓦微电子科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息13条。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

证券之星消息，民德电子(300656)12月22日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者提问：能否介绍下公司旗下的浙江芯微泰克半导体有限公司有哪些核心技术？民德电子回复：您好，感谢您的提问！芯微泰克为公司参股企业，目前公司的持股比例为28.57%。芯微泰克聚焦于先进功率器件所需特种工艺的晶圆代工业务，主要生产工艺包括晶圆的超薄化及超薄晶圆的工艺加工、超高能离子注入（B+、P+、H+）、激光退火及超高温退火扩散、重金属（Pt、Ni/Pt、Au）加工、正面及背面金属化、化学镀和电镀等工艺，涉及产品涵盖6/8英寸的IGBT、MOSFET、SBD及FRD等系列产品。感谢您的关注！

国家知识产权局信息显示，广州辰微电子科技有限公司取得一项名为“隔离墙、形成隔离墙的方法以及包含隔离墙结构的半导体器件”的专利，授权公告号CN120039820B，申请日期为2023年11月。天眼查资料显示，广州辰微电子科技有限公司，成立于2024年，位于广州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，广州辰微电子科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可13个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

国家知识产权局信息显示，无锡龙夏微电子有限公司取得一项名为“一种沟槽型MOSFET器件”的专利，授权公告号CN223743649U，申请日期为2025年2月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种沟槽型MOSFET器件，包括器件盒，所述器件盒外壁设置有栅极且器件盒底部开设有两个散热槽，所述器件盒上端面设置有密封盖板且密封盖板上端面固定连接有推板，所述器件盒上端面位于密封盖板两侧均设置有拆卸组件，所述拆卸组件包含限位盒、导向架和定位块，所述限位盒数量设置有两个且限位盒均固定连接在器件盒上端，两个所述限位盒内部均开设有安装槽且安装槽内部均设置有两个导向滑板，所述器件盒内部设置有电子元件，两组所述导向滑板外壁均滑动连接有导向架，两个所述导向架上端均固定设置有拉杆且两个导向架尺寸大小相同，能够实现对MO

国家知识产权局信息显示，浙江广芯微电子有限公司取得一项名为“面向IGBT器件的共线检测方法、系统及介质”的专利，授权公告号CN120833617B，申请日期为2025年9月。天眼查资料显示，浙江广芯微电子有限公司，成立于2021年，位于丽水市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5545.4545万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江广芯微电子有限公司参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可9个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

国家知识产权局信息显示，无锡驭风智研科技有限公司申请一项名为“一种光电子器件封装外壳”的专利，公开号CN121261200A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本发明提供一种光电子器件封装外壳，包括：基板；柱体阵列，沿第一方向垂直布设在基板的第一表面上；微通道结构，设于基板的内部；其中，柱体阵列包括多个呈周期排列的柱体，基板的第二表面与光电子器件的散热面相贴合，第二表面和第一表面为互为相对的表面。天眼查资料显示，无锡驭风智研科技有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡驭风智研科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可2个。声明：市场有风险，投资需谨慎。

国家知识产权局信息显示，曼德电子电器有限公司申请一项名为“电子器件、电子器件的制造方法、车灯以及汽车”的专利，公开号CN121262728A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本申请提供了一种电子器件、电子器件的制造方法、车灯以及汽车。电子器件包括散热器以及印刷电路板，散热器以及印刷电路板注塑成型。本申请能提高具有散热器以及印刷电路板的电子器件的装配效率。天眼查资料显示，曼德电子电器有限公司，成立于2003年，位于保定市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本166370万人民币。通过天眼查大数据分析，曼德电子电器有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1112条，此外企业还拥有行政许可3个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文

国家知识产权局信息显示，燕芯微电子（上海）有限公司申请一项名为“无源选通器件及其制备方法、电子器件”的专利，公开号CN121263050A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本申请涉及一种无源选通器件及其制备方法、电子器件，涉及集成电路领域。无源选通器件包括依次层叠的底电极、功能层、第一界面层和顶电极；顶电极的厚度大于底电极的厚度；第一界面层的热导率在0.01W/cm·K‑15W/cm·K之间。第一界面层调节热阻分布可以降低功能层两侧的温度梯度，改善因功能层两侧温度不对称导致的材料组分偏析，提高了无源选通器件的成分稳定性与可靠性；第一界面层补偿顶电极与功能层之间热阻，无源选通器件在工作时具有高度对称的电流‑电压特性，提高其耐久性并降低电学特性涨落；优化了无源选通器件的热场与电场分布，增

国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“闪存及其制造方法”的专利，公开号CN121262827A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本发明公开了一种闪存，存储管的栅介质层包括依次叠加的隧穿介质层、存储介质层和阻挡介质层。存储介质层包括依次叠加的第一氮化硅层、第二界面层和第三氮化硅层。第一氮化硅层和所述第三氮化硅层中具有存储编程电子的缺陷。第二界面层的材料为氮氧化硅。存储管在编程状态下，编程电子存储在第一氮化硅层的缺陷和第三氮化硅层的缺陷中，利用氮氧化硅的禁带宽度大于氮化硅的禁带宽度的特征减少编程电子流出所述存储介质层。本发明还公开了一种闪存的制造方法。本发明能减少存储在存储介质层中的编程电子的泄漏，从而能提高存储管器件的可靠性，增加存储管的擦除次数和长久稳定性。声明

国家知识产权局信息显示，深圳市汇芯通信技术有限公司取得一项名为“一种微电子器件的液冷散热封装装置及其制造方法”的专利，授权公告号CN115241144B，申请日期为2022年6月。天眼查资料显示，深圳市汇芯通信技术有限公司，成立于2019年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本20333万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市汇芯通信技术有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目421次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息198条，此外企业还拥有行政许可23个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。