国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121335165A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件，包括：衬底、外延层、有源区结构、正面结构、终端结构、正面金属层以及背面金属层。外延层设置于衬底的正面。外延层内设置有深槽。有源区结构填充于深槽内。正面结构设置于有源区结构的正面。终端结构设置于有源区结构的两侧，且设置于外延层的正面。正面金属层设置于正面结构和部分终端结构的正面。背面金属层设置于衬底的背面。上述半导体器件可以有效改善栅氧界面可靠性差的问题，从而提高碳化硅半导体器件的可靠性。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息505条，此外企业还拥有行政许可11个。
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