国家知识产权局信息显示，希力微电子（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN 121001371 A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法，制备方法包括：在第一沟槽和第二沟槽的内侧以及第一导电类型外延层的上表面沉积厚度一致的厚氧化层；在第一沟槽和第二沟槽中填充屏蔽栅多晶硅和第一硬质掩膜层，以第一硬质掩膜层为掩膜，去除厚氧化层；再去除第一硬质掩膜层，并沉积厚度一致的栅间氧化物和氮化硅；在第一沟槽和第二沟槽中填充掩膜多晶硅和第二硬质掩膜层，以第二硬质掩膜层为掩膜，去除相邻第一沟槽和第二沟槽的内侧区域的栅间氧化物；再依次去除第二硬质掩膜层、掩膜多晶硅和氮化硅；沉积厚度一致的栅氧化介质。本申请能够确保栅间氧化层介质的厚度均匀一致，进而改善有源区中元胞的栅源电容，有助于保障器件性能的稳定性。
天眼查资料显示，希力微电子（深圳）股份有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6000万人民币。通过天眼查大数据分析，希力微电子（深圳）股份有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息22条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可8个。
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