国家知识产权局信息显示，陕西亚成微电子股份有限公司申请一项名为“一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121310601A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明涉及MOSFET器件，具体涉及一种分离栅沟槽MOSFET器件及其制备方法。该MOSFET器件包括外延层；外延层的上表面设置有有源区沟槽和终端区沟槽；在有源区沟槽内设置有第一源栅结构和第二源栅结构；并在第一源栅结构和第二源栅结构与沟槽之间设置有第一底氧化层和第二底氧化层；第一源栅结构为浮空源栅、第二源栅结构为接源源栅，两者组成分离的源栅结构；第一底氧化层的厚度大于第二底氧化层的厚度，两者组成阶梯型底氧化层结构；在终端区沟槽内设置有第一源栅结构；第一源栅结构与沟槽之间设置有第一底氧化层；第一源栅结构为浮空源栅。本发明的MOSFET器件相比于现有MOSFET器件耐压更高。
天眼查资料显示，陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2003年，位于西安市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本5982万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西亚成微电子股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息205条，此外企业还拥有行政许可18个。
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