资讯列表-上海简氏信息科技有限责任公司

智芯微电子取得存储器器件性能调控方法专利

国家知识产权局信息显示，北京智芯微电子科技有限公司取得一项名为“存储器器件性能调控方法、装置和电子设备”的专利，授权公告号CN119558071B，申请日期为2024年11月。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

查看 >>2026-10-12

新微技术取得微电子器件真空腔气密性监测结构专利

国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司取得一项名为“用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构”的专利，授权公告号CN116332113B，申请日期为2021年12月。天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目487次，财产线索方面有商标信息52条，专利信息812条，此外企业还拥有行政许可46个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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等离子熔覆焊机

这是(wjyyh3525)整理的信息，希望能帮助到大家在工业制造领域，表面修复与强化技术对提升零部件使用寿命具有重要意义。其中，等离子熔覆焊机作为一种材料表面处理设备，在特定应用场景中展现出其技术特点。从技术原理来看，等离子熔覆焊机利用等离子弧作为热源，将合金粉末熔化并在工件表面形成冶金结合的覆层。这种工艺过程主要包含几个基本环节：首先通过电源系统产生等离子弧，然后利用送粉装置将合金粉末输送至熔池区域，最后在基材表面形成具有特定性能的覆层。与其他表面处理技术相比，等离子熔覆焊机具有若干特点：1、与堆焊技术相比，等离子熔覆焊的热影响区相对较窄，基体材料变形量较小。这是由于等离子弧能量密度较高，可实现较快的加工速度，减少了热量向基体的传递。同时，熔覆层与基体之间形成冶金结合，结合强度通常高于普通

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常州银河光电取得表面贴装器件用管脚成型治具及表面贴装器件专利，能够节省制程成本及缩减生产周期

国家知识产权局信息显示，常州银河光电科技有限公司取得一项名为“表面贴装器件用管脚成型治具及表面贴装器件”的专利，授权公告号CN223833309U，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本实用新型属于光耦元件制造技术领域，具体涉及一种表面贴装器件用管脚成型治具及表面贴装器件，本表面贴装器件用管脚成型治具包括：第一压具和第二压具；其中所述第一压具上开设有第一压口，所述第二压具上开设有第二压口；所述第一压口或第二压口内放入元器件，且所述第一压具与第二压具靠近抵压元器件，以在元器件的两侧形成S形管脚；本实用新型通过在第一压具、第二压具上分别开设第一压口、第二压口，以将元器件投放到两者之间，直接通过第一压具和第二压具挤压元器件，实现在元器件的两侧制作S形管脚，即一步成型制备得到表面贴装器件，能够节

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和辉光电申请串联式发光器件专利，解决了串联式发光器件发光效率低的问题

国家知识产权局信息显示，上海和辉光电股份有限公司申请一项名为“一种串联式发光器件、显示装置及其制备方法”的专利，公开号CN121398356A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明公开了一种串联式发光器件、显示装置及其制备方法。串联式发光器件包括第一发光功能层、第一空穴传输层、P型电荷产生层、N型电荷产生层、第一电子传输层和第二发光功能层。第一空穴传输层位于第一发光功能层一侧；具有第一折射率n1；P型电荷产生层位于第一空穴传输层远离第一发光功能层的一侧；具有第二折射率n2；N型电荷产生层位于P型电荷产生层远离第一发光功能层的一侧；具有第三折射率n3；第一电子传输层位于N型电荷产生层远离第一发光功能层的一侧；具有第四折射率n4；第二发光功能层位于第一电子传输层远离第一发光功能层的一侧

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宁德时代申请太阳能器件专利，提高太阳能器件的光电转换效率

国家知识产权局信息显示，宁德时代未来能源（上海）研究院有限公司、宁德时代新能源科技股份有限公司申请一项名为“太阳能器件、用电装置、发电装置以及光伏系统”的专利，公开号CN121368271A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本申请提供了一种太阳能器件、用电装置、发电装置以及光伏系统。子啊太阳能器件中，通过第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽以及第四凹槽的设计，可以使多个太阳能电池实现串联。同时太阳能电池中，第一电极层和第二电极层可以位于吸光层的同一侧，当太阳光由电池的入光面入射时，可以不经过第一电极层，这样可减少入射光因光学吸收而出现的损失，进而提高太阳能器件的光电转换效率。天眼查资料显示，宁德时代未来能源（上海）研究院有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事研究和试验发展为主的

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菲卢克斯申请雪崩光电二极管器件专利，能够实现多级结构从而提升器件性能

国家知识产权局信息显示，菲卢克斯科技有限公司申请一项名为“雪崩光电二极管器件”的专利，公开号CN121368937A，申请日期为2024年4月。专利摘要显示，本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（200）。APD子组件包括：衬底（201）；形成在衬底（201）上的n‑型接触层（203）；p‑型接触层（202）；以及包含锑的雪崩层（206）。雪崩层（206）被设置在n‑型接触层（203）和p‑型接触层（203）之间。APD子组件具有包括第一级（207）和第二级（208）的多级结构。第一级（207）包括p‑型接触层（202），第二级（208）包括雪崩层（206）。第一级（207）具有比第二级（208）更小的横截面面积，该横截面面积垂直于从衬底（201）到p‑型接触层（202）的方

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天合光能申请光电器件及其制备方法、光伏组件专利，提高光电器件的光电性能

国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“光电器件及其制备方法、光伏组件”的专利，公开号CN121398352A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本申请涉及光电器件及其制备方法、光伏组件。上述光电器件包括基底层、设置在基底层上的第一光电转换层以及设置在第一光电转换层远离基底层一侧的带隙调控层；其中，带隙调控层的热膨胀系数至少为第一光电转换层的热膨胀系数的4.5倍；或者，带隙调控层的热膨胀系数小于第一光电转换层的热膨胀系数。通过在第一光电转换层远离基底层的一侧设置带隙调控层，在无需调整光电转换层组成时，能够调控第一光电转换层的带隙，提高光电器件的光电性能。天眼查资料显示，天合光能股份有限公司，成立于1997年，位于常州市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企

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华微电子取得一种超结功率器件及其制造方法专利

国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司取得一项名为“一种超结功率器件及其制造方法”的专利，授权公告号CN114664925B，申请日期为2022年3月。天眼查资料显示，吉林华微电子股份有限公司，成立于1999年，位于吉林市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本96029.5304万人民币。通过天眼查大数据分析，吉林华微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目67次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息276条，此外企业还拥有行政许可21个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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*ST华微获得发明专利授权：“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示*ST华微（600360）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”，专利申请号为CN202211012757.3，授权日为2026年1月27日。专利摘要：本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，所述方法包括：提供一外延基片；在外延基片的第一表面上形成基区和发射区，基区和发射区上覆盖有介质层；对介质层进行刻蚀，形成暴露出至少部分基区的掺杂开口；从第一表面一侧和第二表面一侧溅射第一金属，使第一金属掺杂至基区及外延基片的第二表面；在第一表面形成基极和发射极，在第二表面形成集电极。通过在形成基区和发射区后，形成暴露出基区的掺杂开口，然后从半导体器件的第一表面和第二表面均进行第一金属掺杂。如此，使第一金属的原

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重庆芯联微电子申请金属层图形辅助图形添加方法及版图专利，提高器件良率

国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“金属层图形的辅助图形添加方法及版图”的专利，公开号CN121411067A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明提供了一种金属层图形的辅助图形添加方法及版图，属于半导体领域。该金属层图形的辅助图形添加方法包括提供一原始版图，所述原始版图至少包括金属层图形和孔洞层图形。在所述金属层图形的尾端设置辅助图形，所述辅助图形的参数满足设定的要求，所述辅助图形与所述孔洞层图形位于所述金属层图形的同一端。本发明通过在金属层图形的尾端添加辅助图形，并且辅助图的参数满足设定的要求，从而能够增加金属层图形的曝光能量，使得金属层图形尾端位置处的金属层在光刻曝光、刻蚀后形成的刻蚀图形，能够更圆滑，使得金属层可以完全包裹住孔洞层，避免金属层与孔洞

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华力微电子取得半导体器件制造方法专利

国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司取得一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，授权公告号CN115831738B，申请日期为2022年11月。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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天马微电子申请离子检测器件专利，提高器件可靠性

国家知识产权局信息显示，上海天马微电子有限公司申请一项名为“一种离子检测器件”的专利，公开号CN121385035A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种离子检测器件，包括衬底、电路层、离子敏感层、封装层、阻挡层，电路层位于衬底的一侧；电路层包括第一晶体管；离子敏感层位于电路层远离衬底的一侧；封装层位于离子敏感层远离衬底的一侧；封装层设置有第一通孔，第一通孔暴露部分离子敏感层；阻挡层位于电路层和离子敏感层之间；阻挡层包括第一阻挡部，在垂直衬底所在平面的方向上，第一阻挡部与第一通孔交叠。本发明实施例的技术方案可以提高器件可靠性。天眼查资料显示，上海天马微电子有限公司，成立于2006年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2030

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中安电子取得低杂感无功功率器件测试装置专利，提高IGBT功率器件测试的准确性

国家知识产权局信息显示，杭州中安电子股份有限公司取得一项名为“一种低杂感无功功率器件测试装置”的专利，授权公告号CN223842063U，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，一种低杂感无功功率器件测试装置，涉及半导体器件测试技术领域，包括作为载体的测试基础组件及其上的测试负载组件、测试探针组件和测试母排组件，测试探针组件位于中间，测试负载组件和测试母排组件分别位于两侧。测试负载组件和测试母排组件分别与气缸组件连接，测试时，待测试器件由顶升装置在竖直方向上与测试探针组件压紧，然后测试负载组件和测试母排组件在气缸推动下向内侧运动压紧器件的引脚，以保证贴合，即可进行大电流高压工况模拟测试。本实用新型的测试装置可以降低无功功率测试系统杂感，提高IGBT功率器件测试的准确性，更真实的模拟器件配套组

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比亚迪申请电致变色器件及其制备方法和电子设备专利，电致变色器件的变色均匀性强

国家知识产权局信息显示，比亚迪股份有限公司申请一项名为“电致变色器件及其制备方法和电子设备”的专利，公开号CN121411047A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本申请公开了电致变色器件及其制备方法和电子设备，所述电致变色器件包括：层叠设置的第一导电层和第二导电层；封框胶；密闭腔，所述密闭腔内包括电致变色材料；所述封框胶包括：胶本体；第一流延部；第二流延部。本申请的电致变色器件的变色均匀性强和响应速率快，不易出现边缘异色现象，整体性能优异。天眼查资料显示，比亚迪股份有限公司，成立于1995年，位于深圳市，是一家以从事汽车制造业为主的企业。企业注册资本911719.7565万人民币。通过天眼查大数据分析，比亚迪股份有限公司共对外投资了108家企业，参与招投标项目1013次，财产线索方

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