资讯列表-上海简氏信息科技有限责任公司

腾景科技斩获8915万元光器件订单

证券时报记者钟恬1月21日晚间，腾景科技（688195）公告称，公司收到某客户C子公司的采购订单，总金额为1280万美元（约为8915万元人民币），产品为二维准直器阵列。据介绍，本次订单供货产品二维准直器阵列为公司在光通信领域高端光器件的重点产品之一，依托公司在精密模压与精密组装工艺上的深厚积累与技术突破，产品具备高精度耦合、高端口密度、高通道一致性、低插损及高可靠性等优异特性，可满足下游OCS光交换机厂商对于不同端口数量规格的准直器阵列产品的定制化需求，为AI算力中心及超大规模光互联网络建设提供关键元器件支持，体现了客户对公司在高端无源光器件领域技术能力的认可，有助于巩固和提升公司在光通信产业链关键环节的市场影响力和核心竞争力。公司称，本次交易属于公司签订日常经营销售订单行为。若订单顺利

查看 >>2026-10-12

住友大阪水泥取得光波导元件及光调制器件相关专利

国家知识产权局信息显示，住友大阪水泥股份有限公司取得一项名为“光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置”的专利，授权公告号CN113467113B，申请日期为2021年3月。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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慧芯激光申请具有复合变形缓冲层的长波长光电器件专利，降低器件成本的同时提升了稳定性与寿命

国家知识产权局信息显示，福建慧芯激光科技有限公司申请一项名为“一种具有复合变形缓冲层的长波长光电器件”的专利，公开号CN121442844A，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种具有复合变形缓冲层的长波长光电器件，涉及半导体技术领域，包括相互堆叠的GaAs基化合物层、复合变形缓冲层和InP基化合物层，所述复合变形缓冲层包括变形生长层和缺陷阻挡层，所述变形生长层用于实现GaAs基化合物层和InP基化合物层之间的晶格过渡；所述缺陷阻挡层用于实现变形生长层与InP基化合物层之间的位错过滤。本发明所提供的复合变形缓冲层通过晶格过渡与缺陷过滤的功能解耦设计，解决了GaAs基与InP基化合物层间的不适配问题，避免缺陷穿透InP基核心功能区，充分发挥GaAs基的工程化优势与InP基的

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唯酷光电取得可调光星空氛围显示器件专利，营造独特氛围效果

国家知识产权局信息显示，深圳市唯酷光电有限公司取得一项名为“一种可调光星空氛围显示器件及其车辆天窗、建筑物幕墙”的专利，授权公告号CN223857540U，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，本申请涉及光电显示领域，具体涉及一种可调光星空氛围显示器件，可将其用作为车辆天窗、车辆侧窗和建筑物幕墙等。本申请的可调光星空氛围显示器件包括依次层叠设置的第一透光层、液晶调光膜、星空显示膜和第二透光层，在星空显示膜的侧边还设置有灯带；本申请的可调光星空氛围显示器件将液晶调光膜和星空显示膜有机的结合起来，液晶调光膜可以根据需要调节其透光率、在暗态与明态之间切换；星空显示膜配合灯带可以根据不同需求产生不同颜色和不同图案的发光组合，营造独特的氛围效果。天眼查资料显示，深圳市唯酷光电有限公司，成立于2014

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TCL申请有机化合物组合物及光电器件专利，结构稳定可作为制备光电器件的材料

国家知识产权局信息显示，深圳市TCL高新技术开发有限公司申请一项名为“有机化合物、组合物以及光电器件”的专利，公开号CN121405713A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本申请公开一种有机化合物、组合物以及光电器件，所述有机化合物包含多个环状结构，结构稳定，可以作为制备光电器件的材料。天眼查资料显示，深圳市TCL高新技术开发有限公司，成立于2008年，位于深圳市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市TCL高新技术开发有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可8个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个

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金狮焊机取得脚手架立杆缩管机专利，提高了生产效率

国家知识产权局信息显示，任丘市金狮焊机制造有限公司取得一项名为“脚手架立杆缩管机”的专利，授权公告号CN223847943U，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种脚手架立杆缩管机，包括主体框架，主体框架的平台上设置有第一架体和第二架体，第二架体滑动安装在主体框架的滑轨上并经螺栓固定；第一架体包括底板、立板和横板，底板上设置有三个下定位模具和三组导轨C，立板上设置有三个缩管装置，三个缩管装置分别滑动安装在对应的导轨C上，横板上设置有三个下压油缸，三个下压油缸的油缸杆上均设置有上定位模具；第二架体上设置有三个托板，一个缩管装置对应一个上定位模具、一个下定位模具和一个托板，形成三组工位；两个架体上端设置有抓取传送装置，下端设置有卸料斜坡板，主体框架的后方设置有上料装置，该缩

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国星光电取得提升显示器件的结构薄度专利，使得器件整体结构更薄

国家知识产权局信息显示，佛山市国星光电股份有限公司取得一项名为“一种显示器件及显示模组”的专利，授权公告号CN223829733U，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本实用新型涉及显示器件技术领域，公开了一种显示器件及显示模组，所述显示器件包括基板，所述基板上设置有发光芯片和封装层，所述封装层包覆所述发光芯片；所述封装层为封装膜片；所述封装层包括扩散胶粘层、支撑层和防眩光层，所述扩散胶粘层粘接在所述基板上，所述支撑层叠合在所述扩散胶粘层上，所述防眩光层叠合在所述支撑层上，所述防眩光层包覆所述发光芯片的出光面和所述发光芯片的部分侧面；所述封装层中开设有以从所述扩散胶粘层指向所述防眩光层的方向为开设方向的芯片收纳槽。本实用新型采用以封装膜片形成的封装层，并设置芯片收纳槽，使得器件整体结构

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艾迈斯-欧司朗申请光电器件和制造方法专利，电接触掩埋接触层

国家知识产权局信息显示，艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司申请一项名为“光电器件和用于制造光电器件的方法”的专利，公开号CN121400095A，申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及光电器件，其包括至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层和第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠。第一层包括布置在半导体层堆叠的有源区与发光表面之间的掩埋接触层。半导体层堆叠包括：与发光表面相对的底表面；第一侧壁部分，其从底表面向发光表面的方向延伸，直至有源区与掩埋接触层之间的层面；第二侧壁部分，其从有源区与掩埋接触层之间的层面延伸，直至掩埋接触层；和与第一和第二侧壁部分不同的第三侧壁部分，其从掩埋接触层向发光表面的方向延伸。光电器件还包括：覆盖第一侧壁部分的至少部分的材料层；第一接触元件，其覆

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莱特光电取得含氮化合物及有机电致发光器件专利

国家知识产权局信息显示，陕西莱特光电材料股份有限公司取得一项名为“含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置”的专利，授权公告号CN117417353B，申请日期为2022年8月。天眼查资料显示，陕西莱特光电材料股份有限公司，成立于2010年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40243.7585万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西莱特光电材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息497条，此外企业还拥有行政许可17个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

查看 >>2026-10-12

欧得光电申请小分子硼氧类化合物及其电致发光器件专利，可显著提高器件效率

国家知识产权局信息显示，西安欧得光电材料有限公司申请一项名为“一种小分子硼氧类化合物及其电致发光器件”的专利，公开号CN121405725A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明公开了一种小分子硼氧类化合物及其电致发光器件，属于有机发光材料及半导体技术领域。该化合物结构通过二苯并硼氧与芳香杂环并环，并与螺芴结构形成刚性π‑π共轭结构，使材料兼具高效发光性、优异的载流子平衡传输能力和高稳定性。该化合物应用于电致发光器件中的客体发光材料时，可显著提高器件效率，增强稳定性，并延长使用寿命。天眼查资料显示，西安欧得光电材料有限公司，成立于2014年，位于西安市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本3261.8192万人民币。通过天眼查大数据分析，西安欧得光电材料有

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莱特光电获得发明专利授权：“含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示莱特光电（688150）新获得一项发明专利授权，专利名为“含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置”，专利申请号为CN202210968087.6，授权日为2026年1月30日。专利摘要：本申请涉及一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。本申请的含氮化合物包含吲哚并吩噻嗪/吩恶嗪稠合吲哚的母核结构，将该含氮化合物用做有机电致发光器件的主体材料时，可以提高器件发光效率和寿命。今年以来莱特光电新获得专利授权3个。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了3206.69万元，同比增6.91%。通过天眼查大数据分析，陕西莱特光电材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目15次；财产线索方面有商标信息35条，专利信息4

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龙谊电子取得元器件套热缩管治具专利，提高热缩管安装精度和安装效率

国家知识产权局信息显示，东莞市龙谊电子科技有限公司取得一项名为“一种元器件套热缩管治具”的专利，授权公告号CN223850031U，申请日期为2025年2月。专利摘要显示，一种元器件套热缩管治具，本申请涉及电子产品制造领域，特别涉及一种元器件套热缩管治具。包括治具定位板和底座，底座设置有治具定位柱和元器件支撑柱，治具定位板设置有治具定位柱通孔和元器件支撑柱通孔，治具定位柱通孔配合治具定位柱，器件支撑柱通孔配合元器件支撑柱，用于连接治具定位板和底座。治具定位板还设置有产品定位柱。治具定位板还设置有限位装置。本申请提供一种治具用于给元器件套热缩管，避免了手动作业导致元器件变形，并且通过底座和热缩管卡槽定位，提高了热缩管安装精度和安装效率，节省工作时间，操作方便快捷。天眼查资料显示，东莞市龙谊电子

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苏州航凯微电子申请三轴MEMS惯性开关及其制备方法专利，提升器件可靠性与环境适应性

国家知识产权局信息显示，苏州航凯微电子技术有限公司申请一项名为“一种三轴MEMS惯性开关及其制备方法”的专利，公开号CN121416375A，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本发明提供一种三轴MEMS惯性开关及其制备方法，其包括：基板，其上设有两个X向电极组、两个Y向电极组及多个Z向下电极，相邻X向下电极与其之间的Z向下电极围设出第一活动槽，相邻Y向下电极与其之间的Z向下电极围设出第二活动槽；结构层，其包括键合块、悬臂梁及质量块，键合块与基板键合连接，悬臂梁连接键合块及质量块，质量块设有可设置于第一活动槽或第二活动槽中的上电极，上电极与Z向下电极均间隔设置；盖板，其设有避让腔体。本发明采用电极环绕式排布与高度差设计，实现三轴触发通道物理隔离，避免信号串扰，精准限位质量块位移；工艺简

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芯原微电子取得半导体器件检测方法专利

国家知识产权局信息显示，芯原微电子（上海）股份有限公司;芯原微电子（成都）有限公司;芯原微电子（南京）有限公司;芯原微电子（北京）有限公司取得一项名为“一种半导体器件检测方法、存储介质、设备及系统”的专利，授权公告号CN115877158B，申请日期为2022年7月。天眼查资料显示，芯原微电子（上海）股份有限公司，成立于2001年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本52571.3273万人民币。通过天眼查大数据分析，芯原微电子（上海）股份有限公司共对外投资了22家企业，参与招投标项目68次，财产线索方面有商标信息56条，专利信息288条，此外企业还拥有行政许可51个。芯原微电子（成都）有限公司，成立于2013年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为

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捷瑞微电子取得低电容SCR结构ESD保护器件专利，提高器件可靠性

国家知识产权局信息显示，无锡市捷瑞微电子有限公司取得一项名为“一种低电容SCR结构ESD保护器件”的专利，授权公告号CN223859541U，申请日期为2025年3月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种低电容SCR结构ESD保护器件，涉及安全防护领域，该低电容SCR结构ESD保护器件包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的上方依次设置，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型采用的肖特基二极管辅助触发的结构能改善采用高浓度注入的N型和P型杂质形成PN junction辅助trigger结构常规低电容SCR器件开启响应速度不及时和电流集中导致的局部过热问题，提高了器件的可靠性，由于肖特基结更好的高温表现和电流能力，在设计时可以进一步压缩辅助trigger结构的总体尺寸，如减少条纹的数

查看 >>2026-10-12

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