资讯列表-上海简氏信息科技有限责任公司

天马微电子取得有机化合物及OLED器件专利

国家知识产权局信息显示，上海天马微电子有限公司取得一项名为“有机化合物、OLED器件及显示面板”的专利，授权公告号CN116655645B，申请日期为2023年5月。天眼查资料显示，上海天马微电子有限公司，成立于2006年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本203000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天马微电子有限公司参与招投标项目687次，专利信息3455条，此外企业还拥有行政许可219个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

查看 >>2026-10-12

合肥智测电子取得半导体器件热阻测量设备专利

国家知识产权局信息显示，合肥智测电子有限公司取得一项名为“一种半导体器件热阻测量设备”的专利，授权公告号CN120334702B，申请日期为2025年6月。天眼查资料显示，合肥智测电子有限公司，成立于2003年，位于合肥市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2957万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥智测电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目143次，财产线索方面有商标信息28条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可3个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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TDK电子申请多功能半导体器件专利，实现保护与传感功能单片集成

国家知识产权局信息显示，TDK电子股份有限公司申请一项名为“多功能半导体器件和具有多功能半导体器件的电设备”的专利，公开号CN121488604A，申请日期为2024年2月。专利摘要显示，说明一种多功能半导体器件（100），其具有：半导体本体（10），具有至少两个功能区域（31、32、33）；和半导体本体（10）的至少一个外侧（28）处的至少三个电接触元件（21、22、23、24），用于与所述至少两个功能区域（31、32、33、34）电接触；其中所述至少两个功能区域（31、32、33、34）以单片集成的方式构造在所述半导体本体（10）内；所述至少两个功能区域（31、32、33、34）具有第一功能区域（31）和第二功能区域（32）；所述第一功能区域（31）被构造为保护元件；以及所述第二功能区域

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格恩半导体取得具有应变极性拓扑层的半导体激光元件专利

国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种具有应变极性拓扑层的半导体激光元件”的专利，授权公告号CN116565693B，申请日期为2023年5月。天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息527条，此外企业还拥有行政许可13个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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真芯半导体取得半导体处理腔及清洗方法专利

国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“一种半导体处理腔、制造设备及清洗方法”的专利，授权公告号CN115036231B，申请日期为2021年3月。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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长江存储申请半导体结构及其制备方法专利，提升半导体结构的良率

国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统”的专利，公开号CN121463432A，申请日期为2024年8月。专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在降低半导体结构内的晶体管失效的概率，提升半导体结构的良率。所述半导体结构包括晶体管。所述晶体管包括半导体柱和栅极。半导体柱沿第一方向延伸，所述第一方向为所述半导体结构的厚度方向。所述半导体柱包括曲面侧壁，所述曲面侧壁向远离所述半导体柱的方向凸起。栅极位于所述半导体柱的一侧，且与所述曲面侧壁相对设置。上述半导体结构可以应用于存储器中，以实现数据的读取和写入操作。天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，

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索尼申请半导体装置专利，提升半导体装置性能与可靠性

国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“半导体装置、半导体装置的制造方法和光检测装置”的专利，公开号CN121464739A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，一种半导体装置包括：沟槽，其从基板的第一面朝着与所述第一面相反的一侧的第二面被布置在所述基板中；第一绝缘栅极场效应晶体管，其布置于所述沟槽内的下部处，所述第一绝缘栅极场效应晶体管包括隔着第一栅极绝缘膜埋入在所述沟槽的侧壁上的第一栅极电极；侧壁绝缘体，其在所述沟槽内的上部处布置于所述沟槽的侧壁上，并且与所述第一栅极绝缘膜的厚度相比所述侧壁绝缘体的在同一方向上的厚度是更厚的；以及电极，其隔着所述侧壁绝缘体埋入在所述沟槽内的上部中，所述电极电连接至所述第一栅极电极。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方

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东微半导体取得半导体超结功率器件专利

国家知识产权局信息显示，苏州东微半导体股份有限公司取得一项名为“半导体超结功率器件”的专利，授权公告号CN116137289B，申请日期为2021年11月。天眼查资料显示，苏州东微半导体股份有限公司，成立于2008年，位于苏州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本12257.4975万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州东微半导体股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目17次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息155条，此外企业还拥有行政许可9个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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莱特光电取得有机电致发光器件专利提升发光效率与寿命

国家知识产权局信息显示，陕西莱特光电材料股份有限公司取得一项名为“有机电致发光器件及包含其的电子装置”的专利，授权公告号CN114784212B，申请日期为2022年3月。天眼查资料显示，陕西莱特光电材料股份有限公司，成立于2010年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40243.7585万人民币。通过天眼查大数据分析，陕西莱特光电材料股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息499条，此外企业还拥有行政许可17个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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中国石油集团工程材料研究院申请透明电极及其制备方法专利，促进叠层器件的光电转换效率

国家知识产权局信息显示，中国石油集团工程材料研究院有限公司;中国石油天然气集团有限公司申请一项名为“一种透明电极及其制备方法、应用”的专利，公开号CN121463712A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本申请涉及一种透明电极及其制备方法、应用，属于太阳能电池制造技术领域。方法包括在基层上通过磁控溅射制备TCO非晶层；在TCO非晶层上涂布或旋涂一层TCO纳米晶分散液，得纳米晶颗粒层；在纳米晶颗粒层上通过磁控溅射制备TCO结晶层。本申请通过透明电极中TCO纳米晶颗粒层作为诱导层，诱导TCO结晶层的梯度结晶，在所述透明电极中形成非结晶到晶粒分度，再到梯度结晶的趋变层，TCO非晶层为超薄层，减小了其与缓冲层之间的结构有序性差异，提高缓冲层与TCO透明电极界面载流子传输效率；由于TCO非晶

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天钰光能申请红外窄带光电器件专利，实现载流子收集窄化效果

国家知识产权局信息显示，苏州大学、北京天钰光能有限公司申请一项名为“一种红外窄带光电器件及其制备方法”的专利，公开号CN121463571A，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种红外窄带光电器件及其制备方法，包括如下步骤：在FTO玻璃上制备电子传输层后，在电子传输层上制备活性吸收层，将活性吸收层进行氯化镉处理钝化缺陷后，在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层，当空穴传输层为氧化镍层时，在空穴传输层上制备硫氰酸亚铜层，于250±5℃退火10‑30min将铜扩散至FTO玻璃界面，在硫氰酸亚铜层表面制备透明电极。本发明在制备硫氰酸亚铜层后进行高温退火处理，使铜充分扩散掺杂至活性吸收层，P型掺杂浓度提升，获取极窄的内建电场，实现载流子收集窄化效果，具有稳定性高，

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和辉光电取得发光体材料及有机电致发光器件专利

国家知识产权局信息显示，上海和辉光电股份有限公司取得一项名为“一种发光体材料及有机电致发光器件”的专利，授权公告号CN116693534B，申请日期为2022年2月。天眼查资料显示，上海和辉光电股份有限公司，成立于2012年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1380943.7625万人民币。通过天眼查大数据分析，上海和辉光电股份有限公司参与招投标项目278次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1998条，此外企业还拥有行政许可498个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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TCL华星光电取得抓取器件及其操作方法专利

国家知识产权局信息显示，TCL华星光电技术有限公司取得一项名为“抓取器件及其操作方法”的专利，授权公告号CN114583040B，申请日期为2022年2月。天眼查资料显示，TCL华星光电技术有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3308123.474578万人民币。通过天眼查大数据分析，TCL华星光电技术有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目223次，财产线索方面有商标信息318条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可318个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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凌云光取得检测器件控制方法专利

国家知识产权局信息显示，凌云光技术股份有限公司取得一项名为“一种检测器件控制方法、装置、计算机设备和介质”的专利，授权公告号CN116482888B，申请日期为2023年4月。天眼查资料显示，凌云光技术股份有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本46097.6733万人民币。通过天眼查大数据分析，凌云光技术股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目1040次，财产线索方面有商标信息166条，专利信息1116条，此外企业还拥有行政许可9个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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索尼取得图像捕获元件、测距装置和电子器件专利

国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司取得一项名为“图像捕获元件、测距装置和电子器件”的专利，授权公告号CN114902654B，申请日期为2021年1月。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

查看 >>2026-10-12

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