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铨心半导体取得半导体装置专利,提升电子组件散热效率

2026年05月14日 18:01
 

国家知识产权局信息显示,铨心半导体异质整合股份有限公司取得一项名为“半导体装置”的专利,授权公告号CN223798690U,申请日期为2024年10月。

专利摘要显示,本实用新型提供一种半导体装置,包括冷却中介组件、第一导热组件、第二导热组件、第一电子组件及第二电子组件。冷却中介组件具有相对的第一侧与第二侧且包含冷却液。第一电子组件配置在第一导热组件与冷却中介组件的第一侧之间。第二电子组件配置在第二导热组件与冷却中介组件的第二侧之间。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。