国家知识产权局信息显示，武汉山拓微电子有限公司申请一项名为“半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆”的专利，公开号CN121075916A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆。该制造方法包括：提供半导体本体；在第一表面形成第一膜层、第二膜层和第三膜层；在第三膜层形成第一刻蚀窗口；以第三膜层作为掩膜，在第二膜层上形成第二刻蚀窗口；第三膜层与第二膜层之间具有第一刻蚀选择比；以第二膜层作为掩膜，在第一膜层上形成第三刻蚀窗口；第二膜层与第一膜层之间具有第二刻蚀选择比；以第一膜层作为掩膜，在半导体本体形成沟槽；沟槽沿由第一表面至第二表面的方向延伸至半导体本体的内部；第一刻蚀选择比大于预设刻蚀选择比阈值，第二刻蚀选择比小于预设刻蚀选择比阈值。本申请可提高半导体器件的电性能和可靠性。
天眼查资料显示，武汉山拓微电子有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本56000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉山拓微电子有限公司专利信息24条。
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