国家知识产权局信息显示，上海华力微电子有限公司申请一项名为“闪存及其制造方法”的专利，公开号CN121262827A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种闪存，存储管的栅介质层包括依次叠加的隧穿介质层、存储介质层和阻挡介质层。存储介质层包括依次叠加的第一氮化硅层、第二界面层和第三氮化硅层。第一氮化硅层和所述第三氮化硅层中具有存储编程电子的缺陷。第二界面层的材料为氮氧化硅。存储管在编程状态下，编程电子存储在第一氮化硅层的缺陷和第三氮化硅层的缺陷中，利用氮氧化硅的禁带宽度大于氮化硅的禁带宽度的特征减少编程电子流出所述存储介质层。本发明还公开了一种闪存的制造方法。本发明能减少存储在存储介质层中的编程电子的泄漏，从而能提高存储管器件的可靠性，增加存储管的擦除次数和长久稳定性。
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