国家知识产权局信息显示，蒙德无线公司申请一项名为“III-N双栅器件”的专利，公开号CN121420651A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，III‑N双栅器件和制造III‑N双栅器件的方法。示例半导体器件包括III‑N背势垒、在III‑N背势垒之上的III‑N沟道层、以及在III‑N沟道层中的二维电子气（2DEG）沟道。该半导体器件包括源极触点和漏极触点，并且在源极触点和漏极触点之间包括第一栅极触点和第二栅极触点。该半导体器件在第一栅极触点和第二栅极触点之间包括在连接区中耦合到III‑N沟道层的n+ GaN触点。
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