第三代半导体与半导体etf-上海简氏信息科技有限责任公司

半导体板块持续走高，科创半导体ETF、科创半导体设备ETF、半导体设备ETF上涨

A股三大指数今日集体上涨，截至收盘，沪指涨0.34%报3888点，深证成指涨0.85%，创业板指涨0.7%。全市场成交额1.6万亿元，较前一交易日缩量1254亿元，超4100股上涨。半导体板块持续走高，科创半导体ETF、科创半导体ETF鹏华、科创半导体设备ETF涨超3%；半导体设备ETF、半导体材料ETF、半导体设备ETF基金、半导体设备ETF易方达、芯片设备ETF涨超2%。科创半导体ETF跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中半导体设备和半导体材料细分领域的硬科技公司；半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。半导体设备ETF紧密跟踪中证半导体材料设备指数，半导体

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ETF收评丨半导体板块技术性回调，科创半导体ETF（588170）和半导体设备ETF华夏（562590）持续受到资金青睐

1月19日，三大指数涨跌不一，沪指走势较强，创业板指冲高回落。从板块来看，电网设备概念爆发，机器人概念震荡拉升，贵金属板块涨幅居前，旅游酒店概念走强，商业航天概念局部活跃。ETF方面，科创半导体ETF（588170）下跌1.77%，最新报价1.88元，近1周累计上涨10.17%；半导体设备ETF华夏（562590）下跌0.63%，最新报价2.05元，近1周累计上涨8.85%。资金流入方面，科创半导体ETF最新资金净流入9.88亿元。拉长时间看，近5个交易日内有4日资金净流入，合计“吸金”12.37亿元，日均净流入达2.47亿元。半导体设备ETF华夏近9天获得连续资金净流入，最高单日获得3.65亿元净流入，合计“吸金”17.12亿元，日均净流入达1.90亿元。上周受多重利好因素影响，半导体产业

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ETF收评|大盘整体走弱，科创半导体ETF（588170）、半导体设备ETF华夏（562590）整固蓄势

今日三大指数集体调整，深成指跌超1%，创业板指冲高回落跌近2%。板块方面，AI应用概念逆势上涨，AI医疗概念反复活跃，电网设备概念午后走强，零售概念表现活跃。ETF 方面，科创半导体 ETF(588170)收跌3.72%，近1周累计上涨10.43%，半导体设备ETF华夏(562590)下跌3.38%，近1周累计上涨12.06%。资金流入方面，科创半导体ETF最新资金净流入1.78亿元，近3天获得连续资金净流入，最高单日获得3.69亿元净流入，合计“吸金”6.66亿元，日均净流入达2.22亿元。半导体设备ETF华夏最新资金净流入2.81亿元，近5天获得连续资金净流入，最高单日获得3.39亿元净流入，合计“吸金”8.76亿元，日均净流入达1.75亿元。在大盘整体较弱，成长板块有所回调的背景下，科

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半导体设备低开高走，科创半导体ETF（588170）、半导体设备ETF华夏（562590）盘中拉升

截至9:40，上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨1.02%，成分股耐科装备上涨3.54%，京仪装备上涨3.51%，中微公司上涨2.99%，拓荆科技，华兴源创等个股跟涨。科创半导体ETF（588170）上涨0.85%。截至9:41，中证半导体材料设备主题指数强势上涨1.54%，成分股江化微上涨10.02%，长川科技上涨4.64%，京仪装备上涨3.55%，中微公司，拓荆科技等个股跟涨。半导体设备ETF华夏（562590）上涨1.27%。中信建投指出，地缘政治摩擦为国产半导体提供了替代窗口期，华为、寒武纪、海光等新一代算力芯片/机柜性能快速提升，生态逐步完善。受AI需求爆发、供给侧收缩等多重因素影响，存储芯片正处于价格上升期，推动全球存储产业链企业迎来业绩爆发。存储产线建设及国产化率提升有望

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半导体设备情绪修复，科创半导体ETF（588170）和半导体设备ETF华夏（562590）涨幅超3%

2月3日，市场迎来反弹修复，沪指、创业板指均涨超1%，深成指涨超2%。从板块来看，商业航天概念爆发，太空光伏概念持续走强，化工板块表现活跃，贵金属概念探底回升，AI应用概念反复活跃。ETF 方面，科创半导体ETF（588170）上涨3.40%，最新价报1.76元；半导体设备ETF华夏（562590）上涨3.38%，最新价报1.9元。从资金净流入方面来看，科创半导体ETF近4天获得连续资金净流入，最高单日获得3.43亿元净流入，合计“吸金”6.16亿元，日均净流入达1.54亿元；半导体设备ETF华夏最新资金净流出5419.15万元。拉长时间看，近10个交易日内有8日资金净流入，合计“吸金”2.08亿元，日均净流入达2081.40万元。从指数形态来看，科创半导体ETF（588170）今日高开后窄

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第三代半导体赛道，大消息

【导读】长飞先进正式完成超10亿元A+轮股权融资中国基金报记者卢鸰第三代半导体赛道又有大消息。安徽长飞先进半导体股份有限公司（以下简称长飞先进）2月6日宣布，正式完成超10亿元A+轮股权融资。作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等材料优势，成为新能源汽车、光伏发电、智能电网、轨道交通等领域的关键材料，并在全球能源转型和半导体技术升级中占据重要的战略地位。目前，通过芜湖与武汉两大生产基地的战略布局，长飞先进已形成年产能42万片的碳化硅晶圆生产能力，规模位居国内前列。其中，芜湖基地晶圆产线已实现满产；武汉基地于2025年5月成功通线，各项关键技术指标均达到国际领先水平，全面满足新能源汽车主驱芯片的可靠性及稳定批量量产要求。长飞先进的控股股东目前为长飞光纤。此

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ETF 收评 | 机构预测2025全年半导体营收将站上8000亿美元，科创 100ETF 华夏（588800）强势上涨、科创半导体 ETF（588170）领涨5%

今日上证指数涨 0.41%，科创 50 等成长类指数回暖。半导体板块同步跟涨，光模块等细分方向领涨，为科创半导体 ETF(588170)提供联动支撑；成长风格板块集体走强，科创 100 指数领涨市场，科创 100ETF 华夏(588800)获板块情绪强力支撑，推动行情走强。ETF 方面，科创 100ETF 华夏(588800)今日开盘后短暂调整，随即站稳分时均线，午后持续震荡走高，尾盘冲高至日内高点，最终收涨 1.88%，多头主导性明确；上行过程中资金主动进场，量能显著放大，买盘承接力度较强，整体属于放量突破的强势结构。科创半导体 ETF(588170)今日早盘温和调整，随即快速企稳上行，午后持续拉升，尾盘冲高至日内高点，最终领涨5.00%，多头承接力度极强；早盘调整阶段量能温和，午后上行阶

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捷捷微电：与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发第三代半导体器件

有投资者在互动平台向捷捷微电提问：“董秘你好，2026年1月，西电郝跃院士、张进成教授团队在《自然·通讯》和《科学进展》发表突破性成果，首创‘离子注入诱导成核’技术，解决了第三代半导体散热核心痛点，将半导体热阻降至原来的1/3，这一突破直接利好捷捷微电的氮化镓器件产业化进程，公司和西安电子科技大学郝跃院士团队的合作还在进行吗谢谢。”针对上述提问，捷捷微电回应称：“尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。谢谢!”

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捷捷微电：与西安电子科大合作研发第三代半导体器件

证券之星消息，捷捷微电(300623)01月20日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。投资者提问：董秘你好，2026年1月，西电郝跃院士、张进成教授团队在《自然·通讯》和《科学进展》发表突破性成果，首创“离子注入诱导成核”技术，解决了第三代半导体散热核心痛点，将半导体热阻降至原来的1/3，这一突破直接利好捷捷微电的氮化镓器件产业化进程，公司和西安电子科技大学郝跃院士团队的合作还在进行吗谢谢。捷捷微电回复：尊敬的投资者,您好!感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在

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华羿微电子取得第三代半导体器件封装方法专利

国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司取得一项名为“一种第三代半导体器件封装结构的封装方法”的专利，授权公告号CN119855218B，申请日期为2025年3月。天眼查资料显示，华羿微电子股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41509.5832万人民币。通过天眼查大数据分析，华羿微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可32个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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