半导体ic与半导体器件的区别-上海简氏信息科技有限责任公司

半导体板块持续走高，科创半导体ETF、科创半导体设备ETF、半导体设备ETF上涨

A股三大指数今日集体上涨，截至收盘，沪指涨0.34%报3888点，深证成指涨0.85%，创业板指涨0.7%。全市场成交额1.6万亿元，较前一交易日缩量1254亿元，超4100股上涨。半导体板块持续走高，科创半导体ETF、科创半导体ETF鹏华、科创半导体设备ETF涨超3%；半导体设备ETF、半导体材料ETF、半导体设备ETF基金、半导体设备ETF易方达、芯片设备ETF涨超2%。科创半导体ETF跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数，囊括科创板中半导体设备和半导体材料细分领域的硬科技公司；半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域，具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性，受益于人工智能革命下的半导体需求，扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展。半导体设备ETF紧密跟踪中证半导体材料设备指数，半导体

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格力电子申请半导体器件终端结构制备方法专利，半导体器件包括位于有源区外围的终端结构

国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法”的专利，公开号CN121285011A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本申请提供了一种半导体器件及半导体器件的终端结构的制备方法。半导体器件包括有源区和位于有源区外围的终端结构，终端结构包括：半导体基区，半导体基区具有第一表面；半导体层，半导体层位于第一表面上，在第一方向上半导体层具有相对的第一端面和第二端面，第一端面位于第二端面远离有源区的一侧，第一端面与第一表面之间具有夹角，夹角为锐角，第一方向为终端结构指向有源区的方向，半导体层和半导体基区的掺杂类型相反，且半导体层中具有沿第二方向贯穿半导体层至第一表面的连通部，第二方向垂直于第一表面；电介质层，电介质层位于半导体基区

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格力电子元器件取得半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件专利

国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司取得一项名为“半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件”的专利，授权公告号CN 120751751 B，申请日期为2025年8月。天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目29次，专利信息180条，此外企业还拥有行政许可107个。声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

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山拓微电子申请半导体器件及其沟槽结构制造方法等相关技术专利，提高半导体器件的电性能

国家知识产权局信息显示，武汉山拓微电子有限公司申请一项名为“半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆”的专利，公开号CN121075916A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其沟槽结构制造方法、功率模块及车辆。该制造方法包括：提供半导体本体；在第一表面形成第一膜层、第二膜层和第三膜层；在第三膜层形成第一刻蚀窗口；以第三膜层作为掩膜，在第二膜层上形成第二刻蚀窗口；第三膜层与第二膜层之间具有第一刻蚀选择比；以第二膜层作为掩膜，在第一膜层上形成第三刻蚀窗口；第二膜层与第一膜层之间具有第二刻蚀选择比；以第一膜层作为掩膜，在半导体本体形成沟槽；沟槽沿由第一表面至第二表面的方向延伸至半导体本体的内部；第一刻蚀选择比大于预设刻蚀选择比阈值，第二刻蚀选择比小于预设刻

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新凯来申请半导体器件及其形成方法和电子设备专利，提高半导体器件的电学性能与制程良率

国家知识产权局信息显示，深圳市新凯来工业机器有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法和电子设备”的专利，公开号CN121310562A，申请日期为2025年9月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其形成方法和电子设备，能够有效优化了不同尺寸的栅极开口内功函数金属层的刻蚀工艺，提高半导体器件的电学性能与制程良率。形成半导体器件的方法包括：提供基体，基体上具有层间介电层，层间介电层的第一栅极开口与第二栅极开口的内表面均覆盖有栅极介电层；在层间介电层和栅极介电层上沉积功函数金属层，功函数金属层在第一栅极开口内形成第一凹槽；在功函数金属层上沉积金属掩模层，金属掩模层在第一凹槽内形成第二凹槽；在金属掩模层上旋涂保护层；去除保护层；刻蚀部分金属掩模层；刻蚀部分功函数金属层；在第一栅极开口和第二

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厦门士兰明镓申请微型发光半导体器件及其制备方法专利，提升微型发光半导体器件的光电效率

国家知识产权局信息显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请一项名为“微型发光半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121038466A，申请日期为2025年8月。专利摘要显示，本发明提供了一种微型发光半导体器件及其制备方法，其中微型发光半导体器件包括：衬底、外延结构、第一介质层、金属层以及电极；外延结构包括从下至上依次位于衬底上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层；第一介质层覆盖外延结构的侧壁和上表面；金属层覆盖部分第一介质层；电极包括第一电极、第二电极和第三电极，第一电极与第一型半导体层电性相连，第二电极与第二型半导体层电性相连，第三电极与金属层电性相连。本发明可以降低侧壁缺陷造成的非辐射复合，提升微型发光半导体器件的光电效率。天眼查资料显示，厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，

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华太电子申请半导体器件及其制备方法专利，提高碳化硅半导体器件的可靠性

国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121335165A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件，包括：衬底、外延层、有源区结构、正面结构、终端结构、正面金属层以及背面金属层。外延层设置于衬底的正面。外延层内设置有深槽。有源区结构填充于深槽内。正面结构设置于有源区结构的正面。终端结构设置于有源区结构的两侧，且设置于外延层的正面。正面金属层设置于正面结构和部分终端结构的正面。背面金属层设置于衬底的背面。上述半导体器件可以有效改善栅氧界面可靠性差的问题，从而提高碳化硅半导体器件的可靠性。天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，

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日拓电子申请半导体器件测试探针专利，提高半导体器件测试准确性

国家知识产权局信息显示，浙江日拓电子股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法”的专利，公开号CN121324882A，申请日期为2025年12月。专利摘要显示，本发明涉及半导体器件的测试及其测试探针技术领域，具体涉及一种半导体器件测试探针及其半导体器件测试方法。本发明首先在每个测试监测时刻，获取测试探针的接触稳定系数，进一步确定其预设历史测试时段内每种异常接触类型下的所有异常接触时刻，进而根据异常接触类型的总数量与接触稳定系数，以及不同异常接触类型下异常接触时刻的预设时域内接触电阻的变化分布，获取测试探针的压力施加异常系数并调整施加压力。本发明通过分析接触电阻的变化特征评估接触状态，进而评估测试探针的施加压力异常情况，以调整施加压力，从而确保测试探针与器件测试点

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*ST华微获得发明专利授权：“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示*ST华微（600360）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备”，专利申请号为CN202211012757.3，授权日为2026年1月27日。专利摘要：本申请提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件及电子设备，所述方法包括：提供一外延基片；在外延基片的第一表面上形成基区和发射区，基区和发射区上覆盖有介质层；对介质层进行刻蚀，形成暴露出至少部分基区的掺杂开口；从第一表面一侧和第二表面一侧溅射第一金属，使第一金属掺杂至基区及外延基片的第二表面；在第一表面形成基极和发射极，在第二表面形成集电极。通过在形成基区和发射区后，形成暴露出基区的掺杂开口，然后从半导体器件的第一表面和第二表面均进行第一金属掺杂。如此，使第一金属的原

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新攀半导体取得半导体焊接设备专利，提升半导体焊接效率

国家知识产权局信息显示，上海新攀半导体科技有限公司取得一项名为“一种半导体焊接设备”的专利，授权公告号CN223588638U，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种半导体焊接设备，包括焊接工作台、焊接翻转机构和适配支撑机构，焊接工作台上设有焊接翻转机构，焊接翻转机构包括一对焊接位移架，焊接位移架内转动安装有焊接支撑轴，焊接支撑轴上固定安装有焊接多边块，焊接位移架内滑动安装有焊接定位卡，焊接工作台的下侧设有适配支撑机构，焊接工作台上开凿有与焊接位移架相匹配的平衡槽，焊接支撑轴贯穿焊接位移架设置。本实用新型的一种半导体焊接设备通过相应机构的设置，使半导体在翻转的时候，减少了拆卸后重新夹持的次数，不仅提升了半导体焊接的效率，还更方便了半导体翻转角度的调整，降低了错焊的几率

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